性能强、带宽高是HBM显存的最大优势所在，就在上个月我们刚刚报道了SK海力士今天宣布，已经开始大规模批量生产新一代HBM2E DRAM显存芯片，利用TSV硅穿孔技术垂直堆叠八颗16Gb(2GB)芯片，从而做到单颗容量16GB，是上代HBM2的两倍，理论上更是可以做到十二颗堆叠、单颗单颗容量24GB。每个堆栈的数据率高达3.6Gbps(可理解为等效频率3.6GHz)，搭配1024-bit I/O，带宽可以轻松做到460GB/s，电压则维持HBM2 1.2V的水平。如果使用四颗组合，总容量就是64GB，总位宽为4096-bit，总带宽则超过1.8TB/s。

之前的消息是三星和美光的HBM2e显存的也在积极推进中，最近美光的HBM2e显存终于公布其规格，一是四堆栈、单Die容量8Gb，二是八堆栈、单Die容量16Gb，对应单颗容量8GB、16GB，数据率3.2Gbps或更高，搭配1024-bit位宽的话就是410GB/s的总带宽。如果四颗组合，可以获得总容量64GB、总带宽1.64TB/s，产品今年下半年就将上市。

虽说HBM2e显存的性能参数一直很吸引人，但何时才能用在显卡上，现在还是个迷。今年2月份的时候有消息称AMD Big Navi会使用SK海力士的HBM2e显存，随后SK海力士就进行了辟谣，现在也有Big Navi使用GDDR6的说法。而Intel方面也在传Arctic Sound显卡会搭配的是HBM2e显存，这只有等产品正式发布了之后才能一见分晓。